Share
153 Views
2 Replies
Samsung bukan satu-satunya perusahaan yang sedang mengembangkan teknologi DRAM. Tidak lama setelah meluncurkan DRAM 30nm, Micron dan Nanya melakukan presentasi teknologi dalam proses 42nm yang memungkinkan modul DRAM hingga 16GB. Proses 42nm ini memungkinkan untuk modul DDR3 dengan performa yang lebih baik, ukuran die yang lebih kecil serta kepadatan yang lebih besar dan konsumsi daya yang lebih rendah.
Dibandingkan dengan generasi sebelumnya yang menggunakan 1,5 volt, solusi 42nm ini memakai 1,35 volt yang akan memungkinkan penghematan daya hingga 30%. Di samping itu, teknologi 42nm memungkinkan untuk DDR3 beroperasi hingga 1866 MHz dan juga memungkinkan modul memori DDR3 dengan kapasitas maksimum 16GB.
Selain memajukan proses manufaktur, Micron dan Nanya berhasil dalam proses meningkatkan skala melalui penerapan teknologi metallization tembaga. Tembaga sangat handal dan hemat biaya dan meningkatkan performa produk, dibandingkan dengan teknik metallization lain seperti aluminium. Kedua perusahaan ini akan terus melakukan inovasi metallization tembaga hingga generasi berikutnya dengan proses 3Xnm. DDR3 dengan menggunakan teknologi ini akan memulai sampling selama kuartal kedua dan akan diproduksi secara massal pada paruh kedua tahun ini.
09-02-10, 18:07
